STD2HNK60Z (STMicroelectronics)

Наименование STD2HNK60Z
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 349357
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 2 А
Rси(вкл) 4.8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В

STD3NK60Z-1 (ST)
Доступно 8966 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 11.8 нКл

В НАЛИЧИИ 2090шт.
19,40 от 175 шт. 16,60 от 381 шт. 15,20
Расчет доставки...