2N7002ET1G (On Semiconductor)

Наименование 2N7002ET1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 347027
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Технология
Channel Mode
Конфигурация
Количество транзисторов
Монтаж

Small Signal MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23

2N7002E (VISHAY)
Доступно 1833 шт. (под заказ)

BSC030P03NS3GAUMA1 (INFIN)
Доступно 140469 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

В НАЛИЧИИ 11146шт.
1,30 от 3000 шт. 1,20 от 6000 шт. 1,10
Расчет доставки...