FDP3651U (On Semiconductor)

Наименование FDP3651U
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 345322
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация
Номинальное напряжение Vgs
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Серия
Кол-во выводов
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.018ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.5V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ4152pF
Case Style, AlternateSOT-78B
Current, Idm Pulse320A
Pin ConfigurationG(1),D(2)S(3)
Power, Pd255W
Resistance, Rds on Max0.018ohm
Resistance, Rds on Typ.0.015ohm
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.59°C/W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Voltage, Vgs th Min3.5V

IPP530N15N3GXKSA1 (INFIN)
Доступно 4004 шт. (под заказ)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

IPP320N20N3GXKSA1 (INFIN)
от 129,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Infineon's 200V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous recti…

STP80NF12 (ST)
от 90,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 18 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

STP45N10F7 (ST)
Доступно 20344 шт. (под заказ)

MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

IPP180N10N3GXKSA1 (INFIN)
от 36,40 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

STP60NF10 (ST)
Доступно 17916 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В