SIC1182K (Power Integrations Inc. )

Наименование SIC1182K
Производитель Power Integrations Inc. (PI)
Артикул 3419656
Сравнить В избранное

SIC1182K -одноканальный изолированный интегральный драйвер. Для питания микросхемы необходим внешний источник питания 15 В.  На схеме присутствует множество резисторов и защитных диодов, которые используются для обеспечения необходимого рейтинга напряжения.

SIC1182 – одноканальный полностью изолированный интегральный драйвер

Рис. 1. SIC1182 – одноканальный полностью изолированный интегральный драйвер

Для быстрой коммутации SiC-транзистора необходим значительный ток, обеспечивающий заряд и разряд емкости затвора. В частности, SIC1182K обеспечивает втекающий и вытекающий ток 8 A даже при температуре 125 °C. Это означает, что драйверы SIC1182K позволяют создавать инверторы с выходной мощностью до нескольких сотен киловатт. Скорость переключения драйвера достигает 150 кГц. Обратите внимание, что выходная мощность SIC1182K должна ограничиваться при увеличении температуры (рис. 2). Чем выше скорость переключений и чем больше емкость затвора SiC-транзистора, тем больше будет нагреваться микросхема SIC1182K.

При увеличении температуры выходная мощность SIC1182K должна ограничиваться. 

Рис. 2. При увеличении температуры выходная мощность SIC1182K должна ограничиваться. При этом необходимо учитывать не только температуру окружающей среды, но и саморазогрев микросхемы.

Для обеспечения изоляции Power Integrations использует свою фирменную технологию FluxLink. Эта технология предполагает организацию магнитной связи для двунаправленной передачи сигналов. FluxLink позволяет отказаться от медленных оптопар, которые подвержены старению и характеризуются ухудшением параметров с течением времени. FluxLink  также исключает необходимость использования емкостных или кремниевых изоляторов, что значительно повышает надежность.

Удобная распиновка микросхемы позволяет обходиться двухслойной печатной платой (рис. 3). Использование двухслойной платы имеет смысл с точки зрения стоимости, но разработчик может использовать и четырехслойные печатные платы.

корпус SIC1182K

Рис. 3. Корпус SIC1182K

Корпус SIC1182K обеспечивает значительный путь тока утечки и достаточные зазоры, а также имел удобную распиновку, которая упрощает компоновку платы.

Блок-схема SIC1182K имеет дополнительный бутстрепный источник питания, который используется для формирования управляющего напряжения, превышающего уровень VISO, и необходимого для управления затвором (рис. 4). Это напряжение поступает на вывод VGXX, для его стабилизации может использоваться дополнительный внешний керамический конденсатор. На рисунке также представлена схема двунаправленного обмена сигналов (технология FluxLink) и различные схемы защиты.

На блок-схеме SIC1182K изображена высоковольтная изоляция, а также схемы расширенной защиты ИС

Рис. 4. На блок-схеме SIC1182K изображена высоковольтная изоляция, а также схемы расширенной защиты ИС

Технология изоляция FluxLink предполагает двунаправленный обмен данными.

На рис. 5 представлена подробная схема выходного каскада типовой схемы включения SIC1182K. 

Для управления SiC-транзистором потребуется множество дополнительных компонентов

Рис. 5. Для управления SiC-транзистором потребуется множество дополнительных компонентов

В данной схеме отображены все резисторы и диоды, которые ранее не были показаны на рис. 1. На схеме присутствует источник напряжения VTOT. Этот источник напряжения 15 В необходим для питания вторичных внутренних цепей драйвера и должен быть реализован разработчиком самостоятельно. Рейтинг изоляции для данного источника питания должен быть, по крайней мере, таким же, как у SIC1182K, то есть соответствовать требованиям IEC60664-1 для оборудования с рабочим напряжением 1000 В и требованиям IEC61800-5-1 для приводов электродвигателей. 

В настоящее время интегральные драйверы SIC1182K поставляются в пеналах по 48 штук (без суффикса), а также в ленте и катушках по 1000 штук (суффикс TL). 

RDHP-1901 (PI)

Референсная плата для быстрого ознакомления с возможностями интегральных драйверов SIC1182K.

Вы хотите выжать максимум тока из карбид-кремниевых транзисторов? Тогда Вам будет интересен обзор интегрального драйвера SIC1182K от компании Power Integrations.

Данный цикл статей является переводом руководства "TND6237/D. SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization от компании ON Semiconductor". Первая часть цикла посвящена рассмотрению основных характеристик карбида кремния, а также анализу статических и динамических характеристик SiC-транзисторов.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()