BTA12-600BW3G (On Semiconductor)

BTA12-600BW3G, On Semiconductor BTA12-600BW3G, On Semiconductor
Наименование BTA12-600BW3G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 335745
OBS Снято с производства
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Ток удержания Макс Ih
Тип управляемого диода
Максимальная рабочая температура
Пиковая мощность
Напряжение открытия Макс Vgt
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток управления
Макс. рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
THYRISTOR, TRIAC, 600V, TO-220AB-3
Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm600V
On State RMS Current IT(rms)12A
Triac Case StyleTO-220AB
Gate Trigger Current Max (QI), Igt50mA
Gate Trigger Voltage Max Vgt1.7V
Peak Gate Power20W
Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz105A
Holding Current Max Ih50mA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Gate Trigger Current Max, Igt50mA
Operating Temperature Min-40°C
Thyristor CaseTO-220AB
Thyristor Case StyleTO-220AB
Производитель: ONS
Даташит для BTA12-600BW3G, On Semiconductor
BTB12-600CWRG (ST)
Доступно 45197 шт. (под заказ)

Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А

BTA12-600BWRG (ST)
Доступно 182247 шт. (под заказ)

Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

В НАЛИЧИИ 39шт.
48,40 от 73 шт. 41,50 от 150 шт. 38,10
Расчет доставки...