BTB12-600BW3G (On Semiconductor)

Наименование BTB12-600BW3G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 335720
OBS Снято с производства
Тип управляемого диода
Корпус
Ток коммутации номинальный
Макс. рабочее напряжение

Thyristor

Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm600V
Gate Trigger Current Max (QI), Igt50mA
On State RMS Current, IT(rms)12A
Package/Case3-TO-220AB
Peak Non Rep Surge Current, Itsm 60Hz120A
No. of Pins3

BTB12-600BWRG (ST)
Доступно 513688 шт. (под заказ)

Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

BTB12-600CWRG (ST)
Доступно 43723 шт. (под заказ)

Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А