SPA04N60C3XKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование SPA04N60C3XKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 335342
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов

MOSFET, N, 600V, TO-220F

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont4.5A
Resistance, Rds On0.95ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-220F
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse13.5A
Power, Pd31W
Voltage, Vds600V
Voltage, Vds Max600V

STF7N60M2 (ST)
Доступно 34587 шт. (под заказ)

MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7NM60N (ST)
Доступно 16567 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N

STP9NK60ZFP (ST)
Доступно 10909 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 7 А; @Uзатв(ном): 5...8 В; Uзатв(макс): 30 В; Qзатв: 38 нКл

В НАЛИЧИИ 260шт.
66,00 от 52 шт. 56,50 от 112 шт. 52,00
Расчет доставки...