IRFB3004PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3004PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 334724
RND Рекомендуется для новых разработок
Qg - Gate Charge
Монтаж
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET N CH, 40V 340A TO220AB

Case StyleTO-220AB
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Termination TypeThrough Hole
Current, Id Cont195A
Power, Pd380W
Resistance, Rds On1.75mohm
Transistor PolarityN Channel
Transistor TypePower MOSFET
Voltage, Vds Typ40V
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V

Производитель: INFIN
irfs3004pbf[1].pdf
IRFB7430PBF (INFIN)
Доступно 10345 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFB7434PBF (INFIN)
Доступно 5699 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…