IRFU3410PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFU3410PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 333697
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация

MOSFET, N, 100V, 31A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont31A
Resistance, Rds On0.039ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse125A
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V39ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Time, t Off13ns
Time, t On27ns
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)