IRF5803D2TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF5803D2TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 33016
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 40V, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont3.4A
Resistance, Rds On0.112ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse27A
Power, Pd2W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V

Производитель: INFIN
IRF5803D2.pdf