IRFB3306PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3306PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 328873
RND Рекомендуется для новых разработок
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs

MOSFET, N, 60V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont160A
Resistance, Rds On0.0042ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number3306
Charge, Gate N-channel85nC
Current, Idm Pulse620A
Pins, No. of3
Power Dissipation230mW
Power, Pd230W
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V

от 90,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N CH, 80V, 80A, TO-263-3

от 56,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

Доступно 5785 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

от 80,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

Доступно 2894 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology t…