IRFB4115PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB4115PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 328829
RND Рекомендуется для новых разработок
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов

MOSFET 150V 104A 11mOhm 77nC

IPP126N10N3GXKSA1 (INFIN)
от 44,80 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IRFB4115GPBF (INFIN)
Доступно 3362 шт. (под заказ)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IRFB4321PBF (INFIN)
от 117,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Charge, Gate N-channel:71nC; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 2530шт.
139,00 от 25 шт. 119,00 от 50 шт. 110,00
Расчет доставки...