IRLS3034PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLS3034PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 328580
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Рассеиваемая мощность

MOSFET,N-CH 40V 195A D2PAK

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont195A
Resistance, Rds On1.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of3
Power, Pd375W
Voltage, Vgs th Max2.5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRLS3034PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRLS3034TRLPBF (INFIN)
Доступно 9981 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества Optimized for Logic Level Drive Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS Superior R*Q at 4.…

IPB065N03LGATMA1 (INFIN)
Доступно 49818 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

В НАЛИЧИИ 350шт.
200,00 от 17 шт. 171,00 от 37 шт. 157,00
Расчет доставки...