FQP5N50C (On Semiconductor)

Наименование FQP5N50C
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 328485
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont5A
Resistance, Rds On1.14ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Idm Pulse20A
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation73W
Power, Pd73W
Resistance, Rds on Max1.4ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm

STP5NK50Z (ST)
от 30,80 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 20 нКл

STP7N52K3 (ST)
Доступно 1851 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 90 Вт