STB12NM50N (STMicroelectronics)

Наименование STB12NM50N
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 328174
OBS Снято с производства
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.38 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 30 нКл

Производитель: ST
Даташит для STB12NM50N, STMicroelectronics
SPB12N50C3ATMA1 (INFIN)
Доступно 18053 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 560V, 11.6A, TO-263-3

SPB12N50C3 (INFIN)
Доступно 1574 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 500V 11.6A D2PAK-2 CoolMOS C3