IRFB5615PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB5615PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 327900
RND Рекомендуется для новых разработок
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET DIG AUDIO CLASS D 150V TO220AB

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont21A
Resistance, Rds On39mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Power, Pd144W

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB5615PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 4329шт.
60,50 от 56 шт. 52,00 от 122 шт. 47,70
Расчет доставки...