IRFB5620PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB5620PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 327895
RND Рекомендуется для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,

MOSFET DIG AUDIO CLASS D 200V TO220AB

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont15A
Resistance, Rds On72.5mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Power, Pd144W

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB5620PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 247шт.
88,00 от 39 шт. 75,50 от 84 шт. 69,00
Расчет доставки...