IRFB4110GPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB4110GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB4110GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326112
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

100V, 180A, 4,5 mOhms. Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB4110GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFB4110PBF (INFIN)
от 135,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:180A; Resistance, Rds On:0.0045ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4110; Charge, Gate N-channel:150nC; Current, Idm Pulse:670A; Pins, No.…

IPP12CN10LGXKSA1 (INFIN)
Доступно 223324 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IPP100N08N3GXKSA1 (INFIN)
от 60,00 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…