IRFB3306GPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3306GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326102
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)

HEXFET Power MOSFET,60V, 120A, 3.3mOhm

IRFB3306PBF (INFIN)
Доступно 37174 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:160A; Resistance, Rds On:0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3306; Charge, Gate N-channel:85nC; Current, Idm Pulse:620A; Pins, No.…

IPP093N06N3GXKSA1 (INFIN)
от 42,90 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

IPB067N08N3GATMA1 (INFIN)
от 90,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N CH, 80V, 80A, TO-263-3