IRFB3206GPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB3206GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326091
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

power MOSFET, 60V, 120A, maxRDS, 2.4mOhm

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPB065N03LGATMA1 (INFIN)
Доступно 50318 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

IRFB3206PBF (INFIN)
от 91,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…