IRF1010NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF1010NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 32489
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont84A
Resistance, Rds On0.011ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse290A
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF1010NSPBF (INFIN)
от 55,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:84A; Resistance, Rds On:0.011ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:290A; Power Dissipation:170W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRF1010NSTRRPBF (INFIN)
Доступно 3134 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF1010NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 32115 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…