IRFS4127PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFS4127PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFS4127PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 324283
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов

MOSFET,N-CH 200V 72A D2PAK

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On22mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of3
Power, Pd375W
Voltage, Vgs th Max5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFS4127PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRFS4127PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFS4127TRLPBF (INFIN)
от 164,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IRFS4321PBF (INFIN)
от 129,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 150V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +175°C; Base Number:4321; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…