IRFB3006PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB3006PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB3006PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 324226
RND Рекомендуется для новых разработок
Монтаж
Технология
Qg - Gate Charge
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N-CH, 60V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont270A
Resistance, Rds On2.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Current, Idm Pulse1080A
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V

Производитель: INFIN
IRFB3006PBF.pdf
IPP072N10N3GXKSA1 (INFIN)
от 66,00 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IRFB7534PBF (INFIN)
Доступно 74 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB

IPB072N15N3GATMA1 (INFIN)
от 236,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

В НАЛИЧИИ 332шт.
181,00 от 20 шт. 155,00 от 43 шт. 142,00
Расчет доставки...