IRF8788PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF8788PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF8788PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 323154
OBS Снято с производства
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N-CH, 30V, SO8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On2.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleSO-8
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse190A
Power Dissipation2.5W
Voltage, Vgs th Max2.35V
Voltage, Vgs th Min1.35V

Application Note Some key facts about avalanche
Производитель: INFIN
Даташит для IRF8788PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
BSO080P03NS3GXUMA1 (INFIN)
Доступно 4444 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

IRF7831TRPBF (INFIN)
Доступно 16982 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityLow RDS(ON) at 4.5V VGSFully C…

IRF8788TRPBF (INFIN)
от 38,60 Склад (1-2 дн)

20V-100V N-Channel Small PowIR MOSFETs, ПреимуществаRoHS Compliant