IRFI630G (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFI630G
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 318803
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont5.9A
Resistance, Rds On0.4ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse24A
Pins, No. of3
Power Dissipation32W
Power, Pd32W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V