IRFP4668PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFP4668PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 317102
RND Рекомендуется для новых разработок
Тmin,
Тмакс,
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, 200V 130A TO-247AC

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont130A
Resistance, Rds On8mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to + 175°C
Current, Idm Pulse520A
Power Dissipation520W
Voltage, Vds Max200V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFP4668PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFP4227PBF (INFIN)
от 155,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:25ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

В НАЛИЧИИ 690шт.
375,00 от 9 шт. 322,00 от 20 шт. 296,00
Расчет доставки...