1EDF5673FXUMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование 1EDF5673FXUMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 3154497
Корпус
Тмакс,
Тmin,
Product Range
Конфигурация
Пиковый выходной ток
Напряжение питания Min
Напряжение питания Max
Кол-во выводов
ton, с
toff, с
Сравнить В избранное

1EDF5673FXUMA1 - MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C. 

Технические характеристики:

  • Корпус: SO-16 SOIC16
  • Кол-во нижних каналов: 0
  • Кол-во верхних каналов: 1
  • Макс. напряжение смещения: 600 В
  • Макс. выходной ток нарастания: 5 А
  • Макс. выходной ток спада: -5 А
  • Напряжение изоляции: 1500 В
  • Рабочая температура: -40...150 С
  • Особенность: Управление транзисторами GAN
Производитель: INFIN
Даташит для 1EDF5673FXUMA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

В НАЛИЧИИ 68шт.
56,00 от 25 шт. 56,00 от 100 шт. 56,00 от 200 шт. 56,00
Расчет доставки...
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()