IRFS3306PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFS3306PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 315424
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET 60V 160A 4.2mOhm 85nC

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
IPB081N06L3GATMA1 (INFIN)
Доступно 1656 шт. (под заказ)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

IPB090N06N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 2975 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

IRF1405SPBF (INFIN)
Доступно 7951 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 55V, 131A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:131A; Resistance, Rds On:0.0053ohm;…

IRFS3306TRLPBF (INFIN)
Доступно 36354 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg