IPD60R385CP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IPD60R385CP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 314687
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Rd(on)
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, TO-252

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.385ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C

STD11NM60ND (ST)
Доступно 3418 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0.45 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл; Pрасс: 90 Вт

STD13N60M2 (ST)
Доступно 7705 шт. (под заказ)

MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STD13NM60N (ST)
Доступно 2180 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл