IRFB4127PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB4127PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB4127PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 313816
RND Рекомендуется для новых разработок
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont76A
Resistance, Rds On17mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Current, Idm Pulse300A
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

STP80N20M5 (ST)
от 320,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Qзатв: 110 нКл

В НАЛИЧИИ 327шт.
162,00 от 22 шт. 139,00 от 48 шт. 128,00
Расчет доставки...