FQP10N60C (On Semiconductor)

FQP10N60C, On Semiconductor FQP10N60C, On Semiconductor FQP10N60C, On Semiconductor
Наименование FQP10N60C
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 313767
OBS Снято с производства
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont9.5A
Resistance, Rds On0.6ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Idm Pulse38A
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation156W
Power, Pd156W
Resistance, Rds on Max0.73ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm

Производитель: ONS-FAIR
Даташит для FQP10N60C, On Semiconductor
STP10NK60Z (ST)
Доступно 32883 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0.75 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 50 нКл

STP10N60M2 (ST)
Доступно 3607 шт. (под заказ)

MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N62K3 (ST)
Доступно 1626 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 620 В; Iс(25°C): 8.4 А; Rси(вкл): 0.75 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл

STP9NM60N (ST)
Доступно 5879 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR afaqxsseuswwsrybdqeysearysuwvvcbffffve

STP9N60M2 (ST)
Доступно 5655 шт. (под заказ)

MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2