IRLR3103PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR3103PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 313196
OBS Снято с производства
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, 30V, 46A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont45A
Resistance, Rds On0.019ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse69A
Marking, SMDIRLR3103
Power Dissipation69W
Power, Pd69W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.019ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.8°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1V

IRLR3103TRPBF (INFIN)
от 35,60 Склад (1-2 дн)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

IRLR3103TRLPBF (INFIN)
Доступно 3000 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 585шт.
52,00 от 75 шт. 44,50 от 150 шт. 40,80
Расчет доставки...