EPC2024ENG (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)
| Наименование | EPC2024ENG |
| Производитель | Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC) |
| Артикул | 3095697 |
| Максимальная рабочая температура |
 |
| Минимальная рабочая температура |
 |
| Корпус |
 |
| Макс. напряжение Vdss |
 |
| Конфигурация и полярность |
 |
| Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса |
 |
| Rd(on) |
 |
| Технология |
 |
| Qg - Gate Charge |
 |
EPC2024ENG - Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A
Параметры:
- Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
Полевые транзисторы eGaN® позволяют достичь в резонансном LLC-конвертере 48…12 В КПД выше 98%
13/06/2019 | Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.