EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )
Плата полумоста отличается наличием одного входа ШИМ, предназначенного для подключения выхода 50-омного импульсного генератора. Плата питается от одного источника питания 5 В, который питает все, включая источники питания изолированного драйвера затвора. Мертвое время между верхним и нижним плечом установлено на 100 нс и может регулироваться с помощью потенциометра. Внешняя индуктивность может быть подключена с использованием прилагаемого разъема. Выходное напряжение и напряжение шины могут достигать 450 В, что ограничено номиналом конденсатора. Этот полумост может коммутировать непрерывные (continuous) токи 12А и пиковые токи 35А, работать с жестким или мягким переключением. Рабочая частота может достигать нескольких МГц в зависимости от рассеивания транзистора (ограничено примерно 15 Вт на девайс с соответствующим радиатором и потоком воздуха).
Спецификация оценочной платы приведена в Таблице 1.
В изделии применены следующие основные компоненты:
- CoolGaN™ 600 V e-mode HEMTs (IGOT60R070D1)
- GaN EiceDRIVER™ (1EDF5673K)
Преимущества:
- Простая настройка и использование
- Возможно несколько конфигураций
- Оценка высокочастотных возможности GaN транзисторов
- Оценка формы сигнала с низким уровнем звона, перерегулированием, EMI
- Позволяет легко оценить возможности на мультикиловаттных уровнях мощности
Таблица 1. Спецификация оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
Рис. 1. Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN (P/N: EVAL1EDFG1HBGANTOBO1). Общий вид
Рис. 2. Вид платы CoolGaN™ полумоста сверху (слева) и снизу (справа)
Рис. 3. Схема принципиальная электрическая оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
Рис. 4. Для использования платы на высоких мощностях установка радиаторов на транзисторы
Отличительные особенности:
- Простой GaN полумост со специальной микросхемой драйвера GaN;
- Способность переключаться с частотой в несколько мегагерц;
- Нулевое обратное восстановление - может переключаться между жестким или мягким режимами коммутации;
- Транзисторы GaN имеют охлаждение сверху (top-side cooling) для рассеивания высокой мощности.
Комплектация:
- Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN.
Страница изделия на сайте производителя.
Оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов и специальной микросхемы изолированного драйвера затвора GaN EiceDRIVER. Изделие обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование возможностей семейства транзисторов CoolGaN.
HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.