EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Плата полумоста отличается наличием одного входа ШИМ, предназначенного для подключения выхода 50-омного импульсного генератора. Плата питается от одного источника питания 5 В, который питает все, включая источники питания изолированного драйвера затвора. Мертвое время между верхним и нижним плечом установлено на 100 нс и может регулироваться с помощью потенциометра. Внешняя индуктивность может быть подключена с использованием прилагаемого разъема. Выходное напряжение и напряжение шины могут достигать 450 В, что ограничено номиналом конденсатора. Этот полумост может коммутировать непрерывные (continuous) токи 12А и пиковые токи 35А, работать с жестким или мягким переключением. Рабочая частота может достигать нескольких МГц в зависимости от рассеивания транзистора (ограничено примерно 15 Вт на девайс с соответствующим радиатором и потоком воздуха).

Спецификация оценочной платы приведена в Таблице 1.

В изделии применены следующие основные компоненты:

• CoolGaN™ 600 V e-mode HEMTs (IGOT60R070D1)
• GaN EiceDRIVER™ (1EDF5673K)

Преимущества:

• Простая настройка и использование
• Возможно несколько конфигураций
• Оценка высокочастотных возможности GaN транзисторов
• Оценка формы сигнала с низким уровнем звона, перерегулированием, EMI
• Позволяет легко оценить возможности на мультикиловаттных уровнях мощности

Таблица 1. Спецификация оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Рис. 1. Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN (P/N: EVAL1EDFG1HBGANTOBO1). Общий вид

Рис. 2. Вид платы CoolGaN™ полумоста сверху (слева) и снизу (справа)

Рис. 3. Схема принципиальная электрическая оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Рис. 4. Для использования платы на высоких мощностях  установка радиаторов на транзисторы 

Отличительные особенности: 

• Простой GaN полумост со специальной микросхемой драйвера GaN;
• Способность переключаться с частотой в несколько мегагерц;
• Нулевое обратное восстановление - может переключаться между жестким или мягким режимами коммутации;
• Транзисторы GaN имеют охлаждение сверху (top-side cooling) для рассеивания высокой мощности.

Комплектация: 

1. Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN.

Страница изделия на сайте производителя.