EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование EVAL1EDFG1HBGANTOBO1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 3093061
Производитель компонента
Чип/Ядро
Назначение Boost ; Buck ; Half Bridge ; LLC
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 – оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид галлиевых GaN транзисторов семейства CoolGaN™ обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование их возможностей. Общая топология может быть настроена для работы с повышением или понижением напряжения, тестирования в импульсном или непрерывном режиме работы на полной мощности. Контрольные точки обеспечивают легкий доступ для наблюдения сигналов с помощью осциллографа с целью оценки эффективности транзисторов CoolGaN™ и драйверов затвора. Плата избавляет пользователя от необходимости разработки собственного драйвера затвора и схемы питания для оценки нитрид-галлиевых транзисторов.

Плата полумоста отличается наличием одного входа ШИМ, предназначенного для подключения выхода 50-омного импульсного генератора. Плата питается от одного источника питания 5 В, который питает все, включая источники питания изолированного драйвера затвора. Мертвое время между верхним и нижним плечом установлено на 100 нс и может регулироваться с помощью потенциометра. Внешняя индуктивность может быть подключена с использованием прилагаемого разъема. Выходное напряжение и напряжение шины могут достигать 450 В, что ограничено номиналом конденсатора. Этот полумост может коммутировать непрерывные (continuous) токи 12А и пиковые токи 35А, работать с жестким или мягким переключением. Рабочая частота может достигать нескольких МГц в зависимости от рассеивания транзистора (ограничено примерно 15 Вт на девайс с соответствующим радиатором и потоком воздуха).

Спецификация оценочной платы приведена в Таблице 1.

В изделии применены следующие основные компоненты:

Преимущества:

  • Простая настройка и использование
  • Возможно несколько конфигураций
  • Оценка высокочастотных возможности GaN транзисторов
  • Оценка формы сигнала с низким уровнем звона, перерегулированием, EMI
  • Позволяет легко оценить возможности на мультикиловаттных уровнях мощности

Таблица 1. Спецификация оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Спецификация оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN (P/N: EVAL1EDFG1HBGANTOBO1). Общий вид

Рис. 1. Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN (P/N: EVAL1EDFG1HBGANTOBO1). Общий вид

Вид платы CoolGaN™ полумоста сверху (слева) и снизу (справа)

Рис. 2. Вид платы CoolGaN™ полумоста сверху (слева) и снизу (справа)

Схема принципиальная электрическая оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Рис. 3. Схема принципиальная электрическая оценочной платы EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

Для использования платы на высоких мощностях  установка радиаторов на транзисторы 

Рис. 4. Для использования платы на высоких мощностях  установка радиаторов на транзисторы 

Отличительные особенности: 

  • Простой GaN полумост со специальной микросхемой драйвера GaN;
  • Способность переключаться с частотой в несколько мегагерц;
  • Нулевое обратное восстановление - может переключаться между жестким или мягким режимами коммутации;
  • Транзисторы GaN имеют охлаждение сверху (top-side cooling) для рассеивания высокой мощности.

Комплектация: 

  1. Оценочная плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN.

Страница изделия на сайте производителя.

 

Оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов и специальной микросхемы изолированного драйвера затвора GaN EiceDRIVER. Изделие  обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование возможностей семейства транзисторов CoolGaN.

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()