MJD127T4G (On Semiconductor)

MJD127T4G, On Semiconductor MJD127T4G, On Semiconductor
Наименование MJD127T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 308471
Корпус
Макс. рабочая частота
Частота перехода ft
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

Transistor

Transistor TypeDarlington
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo100V
Continuous Collector Current, Ic8A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)4V
Power Dissipation, Pd25W

MJD127G (ONS)
от 19,50 Склад (1-2 дн)

DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…

MJD127T4 (ST)
Доступно 7832 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 4 МГц

В НАЛИЧИИ 4565шт.
19,70 от 180 шт. 16,90 от 391 шт. 15,50
Расчет доставки...