LMG3410R070RWHT (Texas Instruments)

Наименование LMG3410R070RWHT
Производитель Texas Instruments(TI)
Артикул 3041737
Технология
Сравнить В избранное

LMG3410R070RWHTДрайверы для управления затвором SMART 70MOHM GAN FET WITH DRIVER.

Технические характеристики:

  • Производитель: Texas Instruments
  • Категория продукта: Драйверы для управления затвором
  • RoHS
  • Продукт: MOSFET Gate Drivers
  • Тип: Non-Inverting
  • Вид монтажа: SMD/SMT
  • Упаковка / блок: VQFN-32
  • Количество драйверов: 1 Driver
  • Количество выходов: 1 Output
  • Выходной ток: 40 A
  • Конфигурация: Single
  • Время нарастания: 15 ns
  • Время спада: 4.2 ns
  • Напряжение питания - мин.: 9.5 V
  • Напряжение питания - макс.: 18 V
  • Задержка распространения - макс.: 20 ns, 36 ns
  • Рабочий ток источника питания: 43 mA
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C
  • Максимальная рабочая температура: + 125 C
  • Серия: LMG3410R070
  • Диапазон рабочих температур: - 40 C to + 125 C
  • Технология: Si
  • Тип логики: CMOS
  • Максимальное время задержки выключения: 10 ns
  • Максимальное время задержки включения: 12 ns
  • Чувствительный к влажности: Yes
  • Тип продукта: Gate Drivers
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 70 mOhms
  • Подкатегория: PMIC - Power Management ICs
Производитель: TI
Даташит для LMG3410R070RWHT, Texas Instruments
LMG3410R070RWHR (TI)
Доступно 365 шт. (под заказ)

Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters MOSFET (Metal Oxide) 32-VQFN (8x8)

LMG34XX-BB-EVM (TI)
Доступно 19 шт. (под заказ)

Материнская плата LMG34xx для оценки GaN транзисторов.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях.

В статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания.

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы.

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()