IGO60R070D1AUMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IGO60R070D1AUMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 3038798
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Серия
Технология
Qg - Gate Charge
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

IGO60R070D1AUMA1 - MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W.

Технические характеристики:

  • Корпус: SO-20 PG-DSO-20
  • Конфигурация и полярность: N
  • Макс. напряжение сток-исток: 600 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 31 А
  • Сопротивление открытого канала (мин): 70Ом
  • Диапазон номинальных напряжений затвора: 10 В
  • Заряд затвора: 41 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Ёмкость затвора: 380 пФ
EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 (INFIN)

Оценочная плата полумоста на базе транзисторов семейства CoolGaN™.

EVAL2500WPFCGANATOBO1 (INFIN)

Полномостовой 2500 Вт PFC от Infineon.

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

В НАЛИЧИИ 20шт.
1670,00 от 2 шт. 1450,00 от 6 шт. 1430,00 от 11 шт. 1360,00
Расчет доставки...
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()