DF23MR12W1M1B11BPSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование DF23MR12W1M1B11BPSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 3038770
Максимальная рабочая температура
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Серия
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET MOD 1200V 25A

Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер
08/02/2019 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Компания Infineon предлагает богатый выбор силовых карбид-кремниевых транзисторов семейства CoolSiC™ и специализированные драйверы, которые могут быть использованы в самых различных приложениях, таких, например, как инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (ИБП), приводы электродвигателей, системы заряда аккумуляторов и системы хранения энергии.

Данный цикл статей является переводом руководства "TND6237/D. SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization от компании ON Semiconductor". Первая часть цикла посвящена рассмотрению основных характеристик карбида кремния, а также анализу статических и динамических характеристик SiC-транзисторов.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()