DF23MR12W1M1B11BPSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )
| Наименование | DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN) |
| Артикул | 3038770 |
| Максимальная рабочая температура |
 |
| Макс. напряжение Vdss |
 |
| Конфигурация и полярность |
 |
| Rd(on) |
 |
| Номинальное напряжение Vgs |
 |
| Ток стока Id |
 |
| Напряжение для измерения Rds(on) |
 |
| Серия |
 |
MOSFET MOD 1200V 25A
Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер
08/02/2019 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Компания Infineon предлагает богатый выбор силовых карбид-кремниевых транзисторов семейства CoolSiC™ и специализированные драйверы, которые могут быть использованы в самых различных приложениях, таких, например, как инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (ИБП), приводы электродвигателей, системы заряда аккумуляторов и системы хранения энергии.
Управление SiC-транзисторами. Часть 1
04/12/2019 | On Semiconductor
Данный цикл статей является переводом руководства "TND6237/D. SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization от компании ON Semiconductor". Первая часть цикла посвящена рассмотрению основных характеристик карбида кремния, а также анализу статических и динамических характеристик SiC-транзисторов.
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.