IRG4BC30UPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC30UPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 302512
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, 600V, 23A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max97ns
Time, Rise9.6ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

IRG4BC30WPBF (INFIN)
от 89,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

IRG4BC40WPBF (INFIN)
Доступно 5543 шт. (под заказ)

IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Pins, No.…

IRG4BC40UPBF (INFIN)
от 141,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.4V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Device Marking:IRG4BC40UPBF; Pins, No.…