IRF840B (On Semiconductor)

Наименование IRF840B
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 299217
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On0.65ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse32A
Device MarkingIRF840B
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation134W
Power, Pd134W
Resistance, Rds on Max0.8ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm

FQP9N50C (ONS-FAIR)
Доступно 626 шт. (под заказ)

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

STP7N52K3 (ST)
Доступно 1851 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 90 Вт

STP9NK50Z (ST)
от 45,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл