STB14NK50ZT4 (STMicroelectronics)

Наименование STB14NK50ZT4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 293033
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Channel Mode
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Корпус
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Тmin,
Тмакс,

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 14 А
Rси(вкл) 0.38 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В

Производитель: ST
STB14NK50ZT4.pdf
STP14NK50ZFP (ST)
Доступно 21331 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

IRF840SPBF (VISH/IR)
от 55,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 500V, 8A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:8A; Resistance, Rds On:0.85ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:32A; Marking, SMD:IRF840S; Power Dissipation:125W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

В НАЛИЧИИ 507шт.
68,50 от 50 шт. 59,00 от 107 шт. 54,00
Расчет доставки...