IRL540NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL540NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 29293
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N LOGIC D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont36A
Resistance, Rds On0.044ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMDL540NS
Power Dissipation140W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd140W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2V

IRL540NSTRLPBF (INFIN)
от 43,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl

IRL540NSPBF (INFIN)
от 112,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 36A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:36A; Resistance, Rds On:0.044ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:120A; Marking, SMD:L540NS; Power Dissipation:140W; Power Dissipation, on 1 Sq.…