IRF7807VD1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7807VD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7807VD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 28959
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Vgs для измерения Rds(on)

FETKY. Полевой транзистор+Шоттки-диод. 30V.8.3A

Производитель: INFIN
IRF7807VD1.pdf
IRF7807VD1PBF (INFIN)
от 11,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, FETKY, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:8.3A; Resistance, Rds On:0.017ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Max:66A; Current, Idm Pulse:66A; Current, If AV:3.5A; Marking, SMD:807VD1; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…