IRL3102SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL3102SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 286619
OBS Снято с производства
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 20V, 61A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont61A
Resistance, Rds On0.013ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement7V
Voltage, Vgs th Typ0.7V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse240A
Depth, External15.49mm
Length / Height, External4.69mm
Power Dissipation89W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.7W
Power, Pd89W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max2.5V
Width, External10.54mm

IRL3102S (INFIN)
Доступно 206 шт. (под заказ)

MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:61A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:240A; Depth, External:15.49mm; Length / Height, External:4.69mm; Power Dissipation:89W; Power Dissipation, on 1 Sq.…