IRFR12N25DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR12N25DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 285932
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 250V, 14A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On0.26ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse56A
Power Dissipation144W
Power, Pd144W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V260ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.04°C/W
Voltage, Vds Max250V

Производитель: INFIN
irfr12n25dpbf.pdf