MJD122T4G (On Semiconductor)

MJD122T4G, On Semiconductor MJD122T4G, On Semiconductor
Наименование MJD122T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 285158
Корпус
Максимальная рабочая температура
Макс. рабочая частота
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Частота перехода ft

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

MJD122T4 (ST)
от 14,50 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; h21: 100...12000

MJD122G (ONS)
Доступно 85824 шт. (под заказ)

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

В НАЛИЧИИ 3794шт.
20,30 от 175 шт. 17,40 от 380 шт. 16,00
Расчет доставки...