IRFBC30PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFBC30PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 284769
OBS Снято с производства
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On2.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse12A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation74W
Power, Pd74W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFBC30PBF (VISH/IR)
от 41,90 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:12A; Pins, No.…