MJD31CT4 (STMicroelectronics)

MJD31CT4, STMicroelectronics
Наименование MJD31CT4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 284698
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Корпус
Макс. рабочая частота
Монтаж
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50

MJD31CG (ONS)
от 13,40 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:10; ft, Typ:3MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:1A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD31C; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…