MJD32CT4 (STMicroelectronics)

Наименование MJD32CT4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 284697
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Серия
Максимальная рабочая температура

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50

MJD32CT4 (ONS)
Доступно 1590 шт. (под заказ)

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; DC Current Gain Min (hfe):10; Package/Case:TO-252; Collector Current:3A; Collector Current @ hfe:3чA; Leaded Process Compatible:Yes

MJD32CT4G (ONS)
Доступно 118376 шт. (под заказ)

TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V;…

В НАЛИЧИИ 2110шт.
8,90 от 381 шт. 7,60 от 830 шт. 7,00
Расчет доставки...