IRF7104PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7104PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 282236
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:PP; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.025ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7104PBF; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.0W; Power, Pd:2W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:4.05mm

Производитель: INFIN
Даташит для IRF7104PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF7104TRPBF (INFIN)
от 20,40 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Dynamic dv/dt Rating Fast Switching …